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Atomic defects of the hydrogen-terminated silicon surface imaged with nc-AFM

Par Conseil national de recherches du Canada

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FormatTexte, Résumé
ConférenceAPS March Meeting 2020, March 2-6, 2020, Denver, Colorado
Description physique1 p.
Résumé
The hydrogen-terminated silicon (H:Si) surface has been shown to be a viable candidate for the development of atom-scale devices; however, the creation of such devices is currently limited by the need for constant user-guided interaction during the fabrication process. Attempts to automate fabrication using deep learning successfully demonstrated the training of a neural network which was able to identify common defects. Building upon these recent works we present our efforts at creating a comprehensive catalog containing many of the commonly found defects of the H:Si-100(2x1) surface. By imaging the defects using different imaging parameters in STM and two different tip contrasts in non-contact AFM, we determine the structures of the defects, their likely origins and potential removal, and a path to improved accuracy for their automated detection. A deeper understanding will enable the creation of better defect-free samples for atomic fabrication.
Date de publication
Maison d’éditionAmerican Physical Society
Dans
  • Bulletin of the American Physical Society 65, nº 1, Abstract: A52.00007.
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Publication du CNRC
Cette publication n’est pas du CNRC

Ce sont des publications qui ont été rédigées par un auteur du CNRC, mais avant que celui-ci soit employé du CNRC.

Numéro du CNRCNRC-NANO-066
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Identificateur de l’enregistrement3402e425-09f7-4dc5-9df5-ccf7bc78f762
Enregistrement créé2021-02-04
Enregistrement modifié2021-02-12
Date de modification :