Effect of growth temperature on photoluminescence from ion-beam-doped molecular beam epitaxial Si:As
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| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1016/0040-6090(90)90399-X |
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| Format | Texte, Article |
| Date de publication | 1990 |
| Dans | |
| Langue | anglais |
| Numéro du CNRC | NRC-INMS-1117 |
| Numéro NPARC | 8897009 |
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| Identificateur de l’enregistrement | 38544757-f9ff-4643-92d0-fbe43bcbebb2 |
| Enregistrement créé | 2009-04-22 |
| Enregistrement modifié | 2020-03-17 |
- Date de modification :