Effects of surface cleaning and treatments in 2-DEG characteristics of GaN HEMT devices

Par Conseil national de recherches du Canada

AuteurRechercher : 1; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher :
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Conférence31th Workshop on Integrated circuits and Semiconductors, 2007
Numéro NPARC12346516
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Identificateur de l’enregistrement3ec17a75-da76-4c58-95cf-faa14c3a453f
Enregistrement créé2009-09-17
Enregistrement modifié2020-04-16
Date de modification :