| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1016/0038-1098(91)90363-Z |
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| Auteur | Rechercher : Williams, R.L.1; Rechercher : Coleridge, P.2; Rechercher : Wasilewski, Z.R.1; Rechercher : Dion, M.1; Rechercher : Sachrajda, A.2; Rechercher : Rolfe, S.1 |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada
- Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
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| Format | Texte, Article |
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| Sujet | crystals, epitaxial growth; electrons, transport properties; magnetic fields, applications; molecular beam epitaxy, applications; semiconducting gallium arsenide, growth; heteroepitaxial semiconducting compounds; magnetotransport measurements; silicon atomic plane doping; suspended growth doping technique; semiconducting indium compounds |
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| Résumé | We examine the electronic transport properties of a sheet of silicon donors introduced during the molecular beam epitaxial growth of InAs/GaAs, using the suspended growth doping technique. Layers are characterised by magnetotransport measurements in magnetic fields applied parallel and perpendicular to the sample surface. © 1991. |
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| Date de publication | 1991 |
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| Dans | |
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| Langue | anglais |
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| Publications évaluées par des pairs | Oui |
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| Numéro NPARC | 21274626 |
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| Identificateur de l’enregistrement | 4052bcaa-3d17-40c7-a7b7-2eafc28f9994 |
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| Enregistrement créé | 2015-03-18 |
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| Enregistrement modifié | 2020-03-17 |
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