| Téléchargement | - Voir la version de l’auteur : Laser compatible waveguide electroabsorption modulator with high contrast and low operating voltage in GaAs/AlGaAs (PDF, 16.2 Mio)
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| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1109/68.87941 |
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| Auteur | Rechercher : Moss, D.1; Rechercher : Landheer, D.1; Rechercher : Delage, A.1; Rechercher : Chatenoud, F.1; Rechercher : Dion, M.1 |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
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| Format | Texte, Article |
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| Résumé | The authors demonstrate a SQW-GRINSCH ridge-waveguide electroabsorption modulator in GaAs/Al/sub x/Ga/sub 1-x/As that has a very high contrast ratio and low operating voltage and also acts as a laser with relatively low threshold current. They achieve contrast ratios of 10 dB/100 mu m of cavity length with an operating voltage of less than -4 V. In addition, when operated as laser, the device exhibits a threshold current of 25 mA. The active layer has a capacitance of 205 pF/mm/sup 2/ which would allow the fabrication of a device with a modulation bandwidth of over 20 GHz. The laser operated at a wavelength only 2-3 nm shorter than the optimum modulation wavelength. |
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| Date de publication | 1991-07 |
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| Maison d’édition | IEEE |
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| Langue | anglais |
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| Publications évaluées par des pairs | Oui |
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| Numéro NPARC | 23003873 |
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| Identificateur de l’enregistrement | 425f1596-3224-449f-8688-c0bb3b0a03ba |
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| Enregistrement créé | 2018-08-17 |
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| Enregistrement modifié | 2020-03-17 |
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