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Extremely low threshold current strained InGaAs/AlGaAs lasers by molecular beam epitaxy

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DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.105098
AuteurRechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1
Affiliation
  1. Conseil national de recherches Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Résumé
Using solid source molecular beam epitaxy we have grown strained layer InGaAs/AlGaAs graded index separate confinement heterostructure lasers operating at 1.01 μm. For broad‐area, uncoated Fabry–Perot devices with cavity lengths in excess of 3000 μm, the threshold current density is 56 A/cm2, a value which we believe to be the lowest ever reported for laser diodes in any materials system. The internal quantum efficiency for these lasers is 88%, while the materials losses are 1.8 cm−1.
Date de publication
Maison d’éditionAIP Publishing
Dans
  • Applied Physics Letters 58, nº 17 : 1816–1818.
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC23003875
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Identificateur de l’enregistrement42c5a124-554e-4a83-87dd-3de7bd7adb30
Enregistrement créé2018-08-17
Enregistrement modifié2020-03-17

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