Porous Semiconductor Micropatterns Formed on Focussed Ion Beam Implants
Porous Semiconductor Micropatterns Formed on Focussed Ion Beam Implants
DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1023/A:1009655324979 |
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Format | Texte, Article |
Date de publication | 2000 |
Dans | |
Numéro NPARC | 12744888 |
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Identificateur de l’enregistrement | 44e174f6-7449-40c1-854a-e2e4eaa60e44 |
Enregistrement créé | 2009-10-27 |
Enregistrement modifié | 2020-03-26 |
- Date de modification :