Minority carrier diffusion lengths and mobilities in low-doped n-InGaAs for focal plane array applications

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1117/12.2258616
AuteurRechercher : 1; Rechercher : 1
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Technologies de l'information et des communications
FormatTexte, Article
ConférenceInfrared Technology and Applications XLIII, 9-13 April 2017, Anaheim, CA, USA
SujetInGaAs; SWIR; minority carrier diffusion length; mobility; lifetime; doping dependence; modeling and simulation; dark current; pixel pitch
Résumé
Date de publication
Maison d’éditionSociety of Photo-optical Instrumentation Engineers
Dans
Série
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Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC23002213
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Identificateur de l’enregistrement455842fb-15b9-482b-b084-5b0026431a2d
Enregistrement créé2017-09-06
Enregistrement modifié2020-03-16
Date de modification :