| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1557/PROC-743-L9.11 |
|---|
| Auteur | Rechercher : Fan, Z. Y.; Rechercher : Li, J.; Rechercher : Lin, J. Y.; Rechercher : Jiang, H. X.; Rechercher : Liu, Y.1; Rechercher : Bardwell, J. A.1; Rechercher : Webb, J. B.1; Rechercher : Tang, H.1 |
|---|
| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
|
|---|
| Format | Texte, Article |
|---|
| Conférence | 2002 MRS Fall Meeting: Symposium L: GaN and Related Alloys |
|---|
| Résumé | The fabrication and characterization of AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors (MOSHFETs) with the δ-doped barrier are reported. The incorporation of the SiO2 insulated-gate and the δ-doped barrier into HFET structures reduces the gate leakage and improves the 2D channel carrier mobility. The device has a high drain-current-driving and gate-control capabilities as well as a very high gate-drain breakdown voltage of 200 V, a cutoff frequency of 15 GHz and a maximum frequency of oscillation of 34 GHz for a gate length of 1 μm. These characteristics indicate a great potential of this structure for high-power-microwave applications. |
|---|
| Date de publication | 2003 |
|---|
| Dans | |
|---|
| Série | |
|---|
| Publications évaluées par des pairs | Oui |
|---|
| Numéro NPARC | 12328958 |
|---|
| Exporter la notice | Exporter en format RIS |
|---|
| Signaler une correction | Signaler une correction (s'ouvre dans un nouvel onglet) |
|---|
| Identificateur de l’enregistrement | 4727338e-ebf5-4417-b0d4-e40cd685ed1c |
|---|
| Enregistrement créé | 2009-09-10 |
|---|
| Enregistrement modifié | 2020-04-02 |
|---|
