| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1016/0039-6028(96)00462-1 |
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| Auteur | Rechercher : Fletcher, R.; Rechercher : Coleridge, P. T.1; Rechercher : Feng, Y.1 |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
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| Format | Texte, Article |
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| Sujet | thermomagnetic; thermopower |
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| Résumé | Oscillations in the diffusion thermopower of a GaAs/Ga1-xAlxAs heterojunction have been clearly observed for the first time. Phonon drag has been strongly reduced by growing the 2DEG on a heavily-doped conducting substrate and by working below 1 K. The low-field oscillations in the Nernst-Ettingshausen coefficient have been investigated and are found to show the unique thermal damping factor of diffusion. |
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| Date de publication | 1996-07-20 |
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| Numéro NPARC | 12327169 |
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| Exporter la notice | Exporter en format RIS |
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| Identificateur de l’enregistrement | 5342763d-c182-40f0-8ae7-ea94d725716b |
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| Enregistrement créé | 2009-09-10 |
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| Enregistrement modifié | 2020-03-20 |
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