Growth optimisation of the GaN layers and GaN/AlGaN heterojunctions on bulk GaN substrates using plasma-assisted molecular beam epitaxy
Growth optimisation of the GaN layers and GaN/AlGaN heterojunctions on bulk GaN substrates using plasma-assisted molecular beam epitaxy
DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1002/pssa.200303961 |
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Affiliation |
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Format | Texte, Article |
Date de publication | 2004 |
Maison d’édition | Wiley |
Dans | |
Langue | anglais |
Publications évaluées par des pairs | Oui |
Numéro NPARC | 12743976 |
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Identificateur de l’enregistrement | 54f27f24-fde5-4ed3-9616-bd046b4d7631 |
Enregistrement créé | 2009-10-27 |
Enregistrement modifié | 2020-04-17 |
- Date de modification :