| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1088/1361-6641/abecab |
|---|
| Auteur | Rechercher : Jiang, Weihong1Identifiant ORCID : https://orcid.org/0000-0002-7821-3837; Rechercher : Tang, Haipeng1; Rechercher : Bardwell, Jennifer A1 |
|---|
| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Électronique et photonique avancées
|
|---|
| Format | Texte, Article |
|---|
| Sujet | normally-off; gallium nitride; HEMT; power electronics; MBE regrowth |
|---|
| Résumé | In this paper, we report the fabrication of a normally-off AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) using an ultra-thin AlGaN barrier layer structure on Si (111) substrate. Additional AlGaN layers were selectively regrown only on the ohmic contact areas. The fabricated device exhibits a positive threshold voltage of 0.3 V, a maximum drain output current of 753 mA mm⁻¹ at gate voltage of +4 V, and low gate leakage of 1.2 × 10⁻⁷ A mm⁻¹. The selective area growth method shows a promising way to achieve normally-off GaN based HEMTs with very good performance. |
|---|
| Date de publication | 2021-03-26 |
|---|
| Maison d’édition | IOP |
|---|
| Dans | |
|---|
| Langue | anglais |
|---|
| Publications évaluées par des pairs | Oui |
|---|
| Exporter la notice | Exporter en format RIS |
|---|
| Signaler une correction | Signaler une correction (s'ouvre dans un nouvel onglet) |
|---|
| Identificateur de l’enregistrement | 604823cd-6a76-4b6d-b44c-94c6ce8af53a |
|---|
| Enregistrement créé | 2023-02-21 |
|---|
| Enregistrement modifié | 2023-02-21 |
|---|
