Evaluation of HfxSi1-xO2 Deposited by Pulse-Mode MOCVD Using HfNEt24, ButMe2SiOH, and O2

Auteur	Rechercher : Chen, J-H; Rechercher : Landheer, Dolf¹; Rechercher : Wu, X.; Rechercher : Jones, A.; Rechercher : Rushworth, S.; Rechercher : Lei, T-F; Rechercher : Chao, T-S
Affiliation	Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
Format	Texte, Article
Conférence	2004 International Electron Devices and Materials Symposia, December 2004, National Chiao-Tung University, Hsinchu, Taiwan
Numéro NPARC	12346452
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Identificateur de l’enregistrement	638f73bb-c8f8-45ee-8cb9-7987b4216075
Enregistrement créé	2009-09-17
Enregistrement modifié	2020-04-16