AlGaN/GaN field effect transistors with C-doped GaN buffer layer as an electrical isolation template grown by molecular beam epitaxy

DOI	Trouver le DOI : https://doi.org/10.1016/j.sse.2005.01.012
Auteur	Rechercher : Haffouz, Soufien¹; Rechercher : Tang, Haipeng¹; Rechercher : Bardwell, Jennifer¹; Rechercher : Hsu, E. M.; Rechercher : Webb, James²; Rechercher : Rolfe, Stephen¹
Affiliation	Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC Conseil national de recherches du Canada. Institut Steacie des sciences moléculaires du CNRC
Format	Texte, Article
Date de publication	2005
Dans	Solid State Electronics 49, nº 5 (2005) : 802–807.
Numéro NPARC	12744694
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Identificateur de l’enregistrement	65e231f5-2132-4216-bde0-a1f09997239f
Enregistrement créé	2009-10-27
Enregistrement modifié	2020-04-07