| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1002/1521-3951(200212)234:3<822::AID-PSSB822>3.0.CO;2-K |
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| Auteur | Rechercher : Tang, Haipeng1; Rechercher : Webb, James2; Rechercher : Rolfe, Stephen1; Rechercher : Bardwell, Jennifer1; Rechercher : Tomka, D.; Rechercher : Coleridge, P.; Rechercher : Ko, Chun-Te3; Rechercher : Su, Y.; Rechercher : Chang, Shoude1 |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
- Conseil national de recherches du Canada. Institut Steacie des sciences moléculaires du CNRC
- Conseil national de recherches du Canada. Initiative en génomique et en santé du CNRC
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| Format | Texte, Article |
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| Résumé | The growth of high quality GaN/AlGaN two-dimensional electron gas on MOCVD GaN template substrates by ammonia-MBE is reported. The homoepitaxial growth required a significantly lower growth temperature than that needed for growth on SiC or sapphire substrates, and yielded significantly improved surface smoothness, and consequently improved electrical characteristics of the two-dimensional electron gas. A low temperature Hall mobility of 14300 cm2/V s and quantum mobility of 2000 cm2/V s were obtained, representing the highest values observed in the GaN/AlGaN structures grown by the ammonia-MBE technique. A correlation between the surface roughness and increased Hall mobility to quantum mobility ratio was observed, suggesting that the surface roughness could be a source of small-angle scattering in these structures. |
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| Date de publication | 2002 |
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| Maison d’édition | Wiley |
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| Dans | |
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| Langue | anglais |
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| Publications évaluées par des pairs | Oui |
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| Numéro NPARC | 12328590 |
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| Exporter la notice | Exporter en format RIS |
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| Identificateur de l’enregistrement | 69bbc3df-6db2-4848-9baf-65100bb68263 |
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| Enregistrement créé | 2009-09-10 |
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| Enregistrement modifié | 2020-04-06 |
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