A comparative study of temperature sensitivity of InGaAsP and AlGaAs MQW lasers using numerical simulations

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1109/3.466060
AuteurRechercher : 1; Rechercher : 1
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Sujet0.82 mum; 1.55 mum; AlGaAs; AlGaAs MQW lasers; aluminium compounds; Auger effect; Auger recombination; band offset; current leakage; electron-hole recombination; gallium arsenide; III-V semiconductors; indium compounds; InGaAsP; InGaAsP MQW lasers; laser theory; laser transitions; numerical simulations; optical confinement; quantum barrier; quantum well lasers; semiconductor device models; structural parameter; temperature sensitivity; thermal current leakage
Résumé
Date de publication
Dans
Langueanglais
Numéro NPARC12327548
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Identificateur de l’enregistrement69d456ee-c973-4eec-b5d7-a404c8c99b83
Enregistrement créé2009-09-10
Enregistrement modifié2020-04-29
Date de modification :