DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1364/NOMA.2020.NoTu2F.1 |
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Auteur | Rechercher : Pitts, Oliver J.1; Rechercher : Salehzadeh, Omid1; Rechercher : Hisko, Matthew1; Rechercher : Walker, Alexandre W.1; Rechercher : SpringThorpe, Anthony J.1 |
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Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Électronique et photonique avancées
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Format | Texte, Article |
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Conférence | Novel Optical Materials and Applications, July 13-16, 2020, Washington, DC |
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Sujet | avalanche photodiodes; diffusion; electric fields; field enhancement; laser sources; scanning electron microscopy |
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Résumé | We show that areas of high edge gain in avalanche photodiodes are associated with locally enhanced diffusion depth by employing a novel method using scanning electron microscopy of selectively etched Zn diffused structures. |
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Date de publication | 2020-06-13 |
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Maison d’édition | OSA |
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Dans | |
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Langue | anglais |
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Publications évaluées par des pairs | Oui |
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Identificateur de l’enregistrement | 69e361f6-5b83-4423-914a-923fb001ba5f |
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Enregistrement créé | 2022-07-25 |
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Enregistrement modifié | 2022-07-25 |
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