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Microwave photoresistance in an ultra-high-quality GaAs quantum well

Par Conseil national de recherches du Canada

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  1. (PDF, 848 Kio)
DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1103/PhysRevB.93.121305
AuteurRechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher :
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Technologies de sécurité et de rupture
FormatTexte, Article
Résumé
The temperature dependence of microwave-induced resistance oscillations (MIRO), according to the theory, originates from electron-electron scattering. This scattering affects both the quantum lifetime, or the density of states, and the inelastic lifetime, which governs the relaxation of the nonequilibrium distribution function. Here, we report on MIRO in an ultra-high-mobility (μ>3×10⁷cm²/V s) two-dimensional electron gas at T between 0.3 and 1.8 K. In contrast to theoretical predictions, the quantum lifetime is found to be T independent in the whole temperature range studied. At the same time, the T dependence of the inelastic lifetime is much stronger than can be expected from electron-electron interactions.
Date de publication
Maison d’éditionAmerican Physical Society
Dans
  • Physical Review B 93, nº 12, 121305(R) : 1–6.
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC23000136
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Identificateur de l’enregistrement6f15cf6e-4f15-49fe-911a-ee5351eef85d
Enregistrement créé2016-06-07
Enregistrement modifié2020-06-02
Date de modification :