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Visible photoluminescence from helium-ion implanted carbon in silicon

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.360563
AuteurRechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : ; Rechercher :
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
SujetCARBON ADDITIONS; HELIUM IONS; HYDROGENATION; ION IMPLANTATION; PHOTOLUMINESCENCE; RAMAN SPECTRA; SILICON; TEM; WAFERS
Résumé
Silicon wafers implanted with 30 keV He ions at room temperature in a low pressure hydrocarbon atmosphere exhibited visible photoluminescence. The samples were characterized by Raman, infrared, transmission electron microscopy, and heavy ion elastic recoil detection analysis. Two different layers were distinguishable on top of the silicon, with the upper layer comprising mostly amorphous carbon, as confirmed on a similarly implanted Be sample. Green photoluminescence was found to arise from the thinner a‐Si1−xCx:H interface layer. Such a buried intermixed layer could be incorporated into a stable visible light emitting device based on crystalline silicon
Date de publication
Dans
  • Journal of Applied Physics 78, nº 10 (15 novembre 1995) : 6185–6188.
Langueanglais
Numéro NPARC12328578
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Identificateur de l’enregistrement70ee7943-c7ee-41c8-9211-c4f29f10c8a6
Enregistrement créé2009-09-10
Enregistrement modifié2020-04-29
Date de modification :