Characterization of Si[1-x]Ge[x] epilayers grown using a commercially available ultrahigh vacuum chemical vapor deposition reactor

DOI	Trouver le DOI : https://doi.org/10.1116/1.589209
Auteur	Rechercher : Lafontaine, H.; Rechercher : Houghton, D. C.; Rechercher : Elliot, D.; Rechercher : Rowell, N. L.; Rechercher : Baribeau, J. M.; Rechercher : Laframboise, S.; Rechercher : Sproule, G.; Rechercher : Rolfe, S.
Format	Texte, Article
Date de publication	1996-05
Dans	Journal of Vacuum Science and Technology. B 14, nº May 3 (mai 1996) : 1675–1681.
Langue	anglais
Numéro du CNRC	NRC-INMS-1173
Numéro NPARC	8897657
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Identificateur de l’enregistrement	755596ef-87c7-42df-b735-b9d63d1ecb34
Enregistrement créé	2009-04-22
Enregistrement modifié	2020-03-20