Strong potential profile fluctuations and effective localization process in InGaN/GaN multiple quantum wells grown on {10-1m} faceted surface GaN template

DOI	Trouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.2214211
Auteur	Rechercher : Haffouz, Soufien¹; Rechercher : Tang, Haipeng¹; Rechercher : Bardwell, Jennifer¹; Rechercher : Lefebvre, Philippe-Alexandre²; Rechercher : Bretagnon, T.; Rechercher : Riemann, T.; Rechercher : Christen, J.
Affiliation	Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC Conseil national de recherches du Canada. Institut des matériaux industriels du CNRC
Format	Texte, Article
Date de publication	2006
Dans	Journal of Applied Physics 100, nº 1, 013528 (2006).
Langue	anglais
Publications évaluées par des pairs	Oui
Numéro NPARC	12744362
Exporter la notice	Exporter en format RIS
Signaler une correction	Signaler une correction (s'ouvre dans un nouvel onglet)
Identificateur de l’enregistrement	75699883-fb09-4349-8b74-e461e7b25589
Enregistrement créé	2009-10-27
Enregistrement modifié	2023-04-17