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Interplay between crystal phase purity and radial growth in InP nanowires

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1088/0957-4484/23/38/385205
AuteurRechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 2
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Technologies de l'information et des communications
  2. Conseil national de recherches du Canada. Technologies de sécurité et de rupture
FormatTexte, Article
SujetCondensed matter: electrical, magnetic and optical; Semiconductors; Surfaces, interfaces and thin films; Condensed matter: structural, mechanical & thermal; Nanoscale science and low-D systems
Résumé
The interplay between crystal phase purity and radial growth in InP nanowires is investigated. By modifying the growth rate and V/III ratio, regions of high or low stacking fault density can be controllably introduced into wurtzite nanowires. It is found that regions with high stacking fault density encourage radial growth. Through careful choice of growth conditions pure wurtzite InP nanowires are then grown which exhibit narrow 4.2K photoluminescence linewidths of 3.7meV at 1.490meV, and no evidence of emission related to stacking faults or zincblende insertions.
Date de publication
Dans
  • Nanotechnology 23, nº 38, 385205 (5 septembre 2012).
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC21270146
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Identificateur de l’enregistrement76109713-d1b9-4318-9542-1bc940bce10d
Enregistrement créé2014-01-06
Enregistrement modifié2020-04-21
Date de modification :