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Optical properties of InAs/InP planar quantum dot microscavities

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1557/PROC-737-E7.3
AuteurRechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Conférence2002 MRS Fall Meeting: Symposia E/F: Physics and Technology of Semiconductor Quantum Dots – Nanocrystalline Semiconductor Materials and Devices, 2-5 December 2002, Boston, MA, USA
Résumé
Planar InAs/InP quantum dot microcavities using multi-layer SiO2/Ta2O5 Bragg reflectors have been studied in emission. The spectra exhibit collection optics-limited cavity linewidths of ∼1meV with the occasional ∼200μeV single-dot emission. Measurements as a function of incident power show quantum dot saturation behavior, with transfer of oscillator strength to the wetting layer outside the cavity stop band. Saturation behavior at fixed pump power is also observed as a function of decreasing temperature. Dispersion measurements as a function of emission angle show polarization splitting in qualitative agreement with theory.
Date de publication
Dans
  • 2002 MRS Fall Meeting - Symposia E/F – Physics and Technology of Semiconductor Quantum Dots – Nanocrystalline Semiconductor Materials and Devices (2002).
Série
  • Materials Research Society Symposia Proceedings, nº 737.
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC12346433
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Identificateur de l’enregistrement79e5dfa2-fa87-4ee9-bc6b-d42a02be479f
Enregistrement créé2009-09-17
Enregistrement modifié2020-03-30
Date de modification :