Fabrication of High Performance GaN Modulation Doped Field Effect Transistors

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1116/1.582172
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Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
  2. Conseil national de recherches du Canada. Institut Steacie des sciences moléculaires du CNRC
FormatTexte, Article
Date de publication
Dans
Numéro NPARC12330143
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Identificateur de l’enregistrement7d06a0cf-9b51-437d-a088-5612a2c4931f
Enregistrement créé2009-09-10
Enregistrement modifié2020-03-26
Date de modification :