| Téléchargement | - Voir le manuscrit accepté : Good 150oC Retention and Fast Erase Characteristics in Charge-Trap-Engineered Memory having a Scaled Si3N4 Layer (PDF, 797 Kio)
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| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1109/IEDM.2008.4796829 |
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| Auteur | Rechercher : Lina, S. H.; Rechercher : Chin, Albert; Rechercher : Yeha, F. S.; Rechercher : McAlister, S. P.1 |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
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| Format | Texte, Article |
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| Résumé | We report a new charge-trap-engineered flash non-volatile memory that has combined 5 nm Si3N4 and 0.9 nm EOT HfON trapping layers, within double-barrier and double-tunnel layers. At 150degC under a 100 mus and plusmn16 V P/E, this device showed good device integrity of a 5.6 V initial DeltaVth window and 3.8 V 10-year extrapolated retention window. These data are better than the 3.3 V initial DeltaVth and 1.7 V 10-year data for a similar structure not having the extra HfON layer. |
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| Date de publication | 2008 |
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| Dans | |
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| Langue | anglais |
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| Publications évaluées par des pairs | Non |
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| Numéro NPARC | 16891228 |
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| Identificateur de l’enregistrement | 7e66e906-0f04-40f3-92fc-04c3d1b5522d |
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| Enregistrement créé | 2011-03-26 |
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| Enregistrement modifié | 2020-04-15 |
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