X-Ray Photoelectron Spectroscopy of Gate-Quality Silicon Oxynitride Films Produced by Annealing Plasma-Nitrided Si(100)in Nitrous Oxide
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DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1149/1.1374219 |
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Format | Texte, Article |
Date de publication | 2001 |
Dans | |
Numéro NPARC | 12744733 |
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Identificateur de l’enregistrement | 88e164bc-e4a9-4fce-a773-8ecef5b069aa |
Enregistrement créé | 2009-10-27 |
Enregistrement modifié | 2020-03-27 |
- Date de modification :