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Selective growth of GaN on SiC substrate patterned with an AlN seed layer by ammonia-source molecular beam epitaxy

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.1413956
AuteurRechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 2; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
  2. Conseil national de recherches du Canada. Institut Steacie des sciences moléculaires du CNRC
FormatTexte, Article
Date de publication
Dans
  • Applied Physics Letters 79, nº 17 (2001) : 2764–.
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC12327100
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Identificateur de l’enregistrement89a616a4-e623-42e5-80b9-67c4a2a17e00
Enregistrement créé2009-09-10
Enregistrement modifié2023-05-10
Date de modification :