Growth of high performance GaN modulation-doped field-effect transisters by ammonia-molecular-beam-epitaxy

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1116/1.582255
AuteurRechercher : 1; Rechercher : 2; Rechercher : 1; Rechercher :
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
  2. Conseil national de recherches du Canada. Institut Steacie des sciences moléculaires du CNRC
FormatTexte, Article
Date de publication
Dans
Numéro NPARC12338042
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Identificateur de l’enregistrement8b498b96-4402-4912-be82-62440bdd32c0
Enregistrement créé2009-09-10
Enregistrement modifié2020-03-26
Date de modification :