| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1049/el:19951415 |
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| Auteur | Rechercher : He, J.-J.1; Rechercher : Feng, Y.1; Rechercher : Koteles, E. S.1; Rechercher : Poole, P. J.1; Rechercher : Davis, M.1; Rechercher : Dion, M.2; Rechercher : Goldberg, R.; Rechercher : Mitchell, I.; Rechercher : Charbonneau, S.1 |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
- Conseil national de recherches du Canada. Institut de recherche aérospatiale du CNRC
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| Format | Texte, Article |
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| Sujet | absorption constant; bandgap shifted optical waveguides; blue shift; InGaAsP-InP; junction characteristics; MeV ion implantation; OEIC; p-i-n laser structure; quantum well waveguides; semiconductor lasers |
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| Résumé | A large blue shift of the bandgap 90 nm, in an 1nGaAsP/InP quantum well (QW) pin laser structure using a single-step MeV phosphorous ion implantation is reported. The absorption constant at the original band-edge was reduced from 110 cm-1 to only 4 cm-1. No excess loss in the waveguide due to the QW intermixing process was observed. Current/voltage measurements indicate that junction characteristics are well maintained, providing a means of producing side-by-side active and passive sections using a simple, single processing step on laser structures fabricated using standard growth techniques. |
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| Date de publication | 1995-11-23 |
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| Langue | anglais |
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| Numéro NPARC | 12334529 |
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| Exporter la notice | Exporter en format RIS |
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| Identificateur de l’enregistrement | 8dd79fce-5367-47b2-9969-25e4853b8b4e |
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| Enregistrement créé | 2009-09-10 |
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| Enregistrement modifié | 2020-04-29 |
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