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Control of island formation on silicon surfaces using ultra-high-vacuum scanning electron microscopy

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1093/oxfordjournals.jmicro.a023802
AuteurRechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher :
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Sujetscanning electron microscopy; in situ imaging; Si(III)-Au; liquid metal island; step bunch
Résumé
In situ scanning electron microscopy has been used to control Au island formation on a patterned Si(III) surface with a periodic array of atomicstep bunches and holes. Liquid phase Au–Si islands were observed to redistribute on the patterned surface by annealing. The islands accumulate at a panicular position of the step bunch in each pattern unit. This phenomenon is interpreted in terms of the energetic stability of a droplet on a patterned surface.
Date de publication
Maison d’éditionOxford
Japanese Society of Microscopy
Dans
  • Journal of Electron Microscopy 49, nº 2 (1 janvier 2000) : 225–229.
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC12744707
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Identificateur de l’enregistrement91297693-efcc-4678-b190-297d4682e8ae
Enregistrement créé2009-10-27
Enregistrement modifié2023-12-22
Date de modification :