| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.2357162 |
|---|
| Auteur | Rechercher : Dion, C.1; Rechercher : Poole, P. J.1; Rechercher : Raymond, S.1; Rechercher : Desjardins, P.; Rechercher : Schiettekatte, F. |
|---|
| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
|
|---|
| Format | Texte, Article |
|---|
| Résumé | This paper examines the influence of rapid thermal annealing on the photoluminescence spectra of self-assembled InAs/InP(001) quantum dots capped with 760 nm InP deposited at a reduced temperature. The capping layer contained a large concentration of point defects that can promote interdiffusion upon annealing. The onset temperature for measurable blueshift in the emission spectra was found to be ∼ 600 °C whereas shifts of 270 meV were obtained after annealing at 750 °C for 300 s. Gradual etching of the InP capping layer enabled to progressively quench energy shifts upon annealing, a promising result for spatially selective emission tuning. |
|---|
| Date de publication | 2006-09-25 |
|---|
| Dans | |
|---|
| Langue | anglais |
|---|
| Numéro NPARC | 12744020 |
|---|
| Exporter la notice | Exporter en format RIS |
|---|
| Signaler une correction | Signaler une correction (s'ouvre dans un nouvel onglet) |
|---|
| Identificateur de l’enregistrement | 92134919-926f-4418-9864-103926203ab7 |
|---|
| Enregistrement créé | 2009-10-27 |
|---|
| Enregistrement modifié | 2020-04-22 |
|---|
