Si (111) substrates as highly effective pseudomasks for selective growth of GaN material and devices by ammonia-molecular-beam epitaxy
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DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.2199457 |
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Affiliation |
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Format | Texte, Article |
Date de publication | 2006 |
Dans | |
Langue | anglais |
Publications évaluées par des pairs | Oui |
Numéro NPARC | 12743887 |
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Identificateur de l’enregistrement | 94cbb96c-2f48-46c0-8171-7b821153d8ef |
Enregistrement créé | 2009-10-27 |
Enregistrement modifié | 2023-05-10 |
- Date de modification :