| Téléchargement | - Voir le manuscrit accepté : Room-temperature continuous-wave opertation of GaInNAsSb laser diodes at 1.55μm (PDF, 522 Kio)
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| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1049/el:20052712 |
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| Auteur | Rechercher : Gupta, J. A.1; Rechercher : Barrios, P. J.1; Rechercher : Zhang, X.; Rechercher : Lapointe, J.1; Rechercher : Poitras, D.1; Rechercher : Pakulski, G.1; Rechercher : Wu, X.1; Rechercher : Delâge, A.1 |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
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| Format | Texte, Article |
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| Résumé | The first 1.55 µm room-temperature continuous-wave (CW) operation of GaAs-based laser diodes utilising GaInNAsSb/GaNAs double quantum well active regions grown by molecular beam epitaxy is reported. In electrically-pumped CW operation the narrow ridge waveguide devices have a room temperature lasing wavelength of 1550 nm near threshold, increasing to 1553 nm at thermal rollover. The CW threshold current was 132 mA for a 3×589 µm device, with a characteristic temperature of 83 K, measured in pulsed mode between 20 and 70°C. |
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| Date de publication | 2005-09-15 |
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| Langue | anglais |
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| Numéro NPARC | 12744226 |
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| Identificateur de l’enregistrement | 95048afa-528e-4c6f-b265-fb1ff44d60c0 |
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| Enregistrement créé | 2009-10-27 |
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| Enregistrement modifié | 2020-04-07 |
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