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Surface dipole layer potential induced IR absorption enhancement in n-alkanethiol SAMs on GaAs(001)

Par Conseil national de recherches du Canada

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  1. (PDF, 933 Kio)
DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1021/1a901888q
AuteurRechercher : 1; Rechercher : 2; Rechercher : 1; Rechercher :
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut de technologie des procédés chimiques et de l'environnement du CNRC
  2. Conseil national de recherches du Canada. Institut Steacie des sciences moléculaires du CNRC
FormatTexte, Article
Résumé
The work function of n-alkanethiol self-assembledmonolayers (SAMs) prepared on theGaAs(001) surface was measured using the Kelvin probe technique yielding the SAM 2D dipole layer potential (DLP). Direct n-dependent proportionality between the DLP values and the C-H stretching mode infrared (IR) absorption intensities was observed, which supports a correspondence of reported IR enhancements with the electrostatic properties of the interface. X-ray photoelectron spectroscopy is also used to verify the work function measurements. In addition, the principal components of the refractive index tensor are shown to be n-invariant in the ordered SAM phase. Our results suggest that a local field correction to the transition dipolemoment accounts for the observed increase in IRactivity through an increase to the electronic polarizability.
Date de publication
Dans
  • Langmuir 25, nº 23 (29 octobre 2009) : 13561–13568.
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro du CNRCNRCC 52013
Numéro NPARC15329273
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Identificateur de l’enregistrement988f7768-35aa-40ab-852d-5cce55c5b2f5
Enregistrement créé2010-05-19
Enregistrement modifié2020-04-16
Date de modification :