Growth of SiO2 at the Sc2O3/Si100 interface during annealing
Growth of SiO2 at the Sc2O3/Si100 interface during annealing
| Autre titre | Silicon Nitride and Silicon Dioxide Thin Films VII |
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| Affiliation |
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| Format | Texte, Article |
| Conférence | Spring ECS Meeting, March 23-April 1, 2003, Paris, France |
| Numéro NPARC | 12346215 |
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| Identificateur de l’enregistrement | 9dcca308-697d-453c-afdd-1f78b51a0bef |
| Enregistrement créé | 2009-09-17 |
| Enregistrement modifié | 2020-04-16 |
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