Growth of SiO2 at the Sc2O3/Si100 interface during annealing

Par Conseil national de recherches du Canada

Autre titreSilicon Nitride and Silicon Dioxide Thin Films VII
AuteurRechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher :
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
ConférenceSpring ECS Meeting, March 23-April 1, 2003, Paris, France
Numéro NPARC12346215
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Identificateur de l’enregistrement9dcca308-697d-453c-afdd-1f78b51a0bef
Enregistrement créé2009-09-17
Enregistrement modifié2020-04-16
Date de modification :