| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2005.05.031 |
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| Auteur | Rechercher : Tang, Y.H.; Rechercher : Sham, T.-K.; Rechercher : Yang, D.1; Rechercher : Xue, L.1 |
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| Affiliation du nom | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des matériaux industriels du CNRC
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| Format | Texte, Article |
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| Sujet | pulsed laser deposition; SiC film; Si K-edge |
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| Résumé | Si K-edge XAFS was used to characterize a stoichiometric SiC film prepared by pulsed KrF laser deposition. The film was deposited on a p-type Si(1 0 0) wafer at a substrate temperature of 250 °C in high vacuum with a laser fluence of ∼5 J/cm2. The results reveal that the film contains mainly a SiC phase with an amorphous structure in which the Si atoms are bonded to C atoms in its first shell similar to that of crystalline SiC powder but with significant disorder. |
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| Date de publication | 2006-03-15 |
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| Dans | |
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| Langue | anglais |
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| Publications évaluées par des pairs | Oui |
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| Numéro NPARC | 21275995 |
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| Identificateur de l’enregistrement | 9ea70817-512b-4462-9dc6-9f79461dcfa2 |
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| Enregistrement créé | 2015-09-04 |
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| Enregistrement modifié | 2020-04-22 |
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