DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2005.05.031 |
---|
Auteur | Rechercher : Tang, Y.H.; Rechercher : Sham, T.-K.; Rechercher : Yang, D.1; Rechercher : Xue, L.1 |
---|
Affiliation du nom | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des matériaux industriels du CNRC
|
---|
Format | Texte, Article |
---|
Sujet | pulsed laser deposition; SiC film; Si K-edge |
---|
Résumé | Si K-edge XAFS was used to characterize a stoichiometric SiC film prepared by pulsed KrF laser deposition. The film was deposited on a p-type Si(1 0 0) wafer at a substrate temperature of 250 °C in high vacuum with a laser fluence of ∼5 J/cm2. The results reveal that the film contains mainly a SiC phase with an amorphous structure in which the Si atoms are bonded to C atoms in its first shell similar to that of crystalline SiC powder but with significant disorder. |
---|
Date de publication | 2006-03-15 |
---|
Dans | |
---|
Langue | anglais |
---|
Publications évaluées par des pairs | Oui |
---|
Numéro NPARC | 21275995 |
---|
Exporter la notice | Exporter en format RIS |
---|
Signaler une correction | Signaler une correction (s'ouvre dans un nouvel onglet) |
---|
Identificateur de l’enregistrement | 9ea70817-512b-4462-9dc6-9f79461dcfa2 |
---|
Enregistrement créé | 2015-09-04 |
---|
Enregistrement modifié | 2020-04-22 |
---|