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Gouvernement du Canada / Government of Canada

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Dopant layer abruptness in strained Si[1-x]Ge[x] heterostructures

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1116/1.1689297
AuteurRechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher :
FormatTexte, Article
Date de publication
Dans
  • Journal of vacuum science and technology. A 22, nº May 3 (2004) : 939–942.
Langueanglais
Numéro du CNRCNRC-INMS-1087
Numéro NPARC8899604
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Identificateur de l’enregistrementa19174dd-36ba-4b73-bca5-51ea0fc48844
Enregistrement créé2009-04-22
Enregistrement modifié2020-04-17
Date de modification :