| Autre titre | Simulation of the hole and current distributions in Si-Ge p-channel FETs with graded Ge profiles |
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| Téléchargement | - Voir la version finale : Simulation of the hole and current distributions in Si-Ge p-channel FETs with graded profiles (PDF, 1.1 Mio)
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| Auteur | Rechercher : McAlister, S. P.1; Rechercher : McKinnon, W. R.1 |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
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| Format | Texte, Article |
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| Conférence | 1995 Second International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS '95), December 5-8, 1995, Charlottesville, Virginia, USA |
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| Date de publication | 1995-12-08 |
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| Maison d’édition | School of Engineering and Applied Science |
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| Dans | |
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| Publications évaluées par des pairs | Oui |
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| Numéro NPARC | 12328252 |
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| Exporter la notice | Exporter en format RIS |
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| Identificateur de l’enregistrement | a48607af-8b46-4e2e-ac6b-e3935e90f2e4 |
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| Enregistrement créé | 2009-09-10 |
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| Enregistrement modifié | 2021-05-31 |
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