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Growth of GaN/AlGaN HFETs on SiC substrates with optimized electrical characteristics using the ammonia-MBE technique

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1002/1521-396X(200212)194:2<439::AID-PSSA439>3.0.CO;2-3
AuteurRechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher :
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Résumé
Optimization of the electrical characteristics of GaN/AlGaN HFETs grown on SiC substrates by ammonia‐MBE is reported. By optimizing the growth conditions, GaN/AlGaN HFETs with room temperature mobilities of ∼1000 cm²/Vs and electron sheet densities of up to 1.9 × 10¹³ cm⁻² have been grown on SiC substrates with good reproducibility. These characteristics are comparable to the best characteristics of the GaN/AlGaN HFETs grown on sapphire. Devices fabricated from these optimized HFET layers showed excellent characteristics, e.g. maximum drain current density of 1.3 A/mm, fₜ of 70 GHz, fₘₐₓ of 130 GHz were measured for devices with 0.25 μm gate length and 100 μm gate width.
Date de publication
Maison d’éditionWiley
Dans
  • Physica Status Solidi A: Applications and Materials Science 194, nº 2 (4 décembre 2002) : 439–442.
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC12339271
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Identificateur de l’enregistrementa5c5eaa9-f29c-451b-98f8-c9f7b671a3ac
Enregistrement créé2009-09-11
Enregistrement modifié2022-03-10
Date de modification :