| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1016/0921-4526(94)90950-4 |
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| Auteur | Rechercher : Campbell, J. W.; Rechercher : D'Iorio, M.; Rechercher : Pudalov, V. M.1 |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada
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| Format | Texte, Article |
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| Résumé | We describe the characteristics of the temperature activated dc-transport observed in the insulating phase which occurs at dilute concentrations and low temperatures in high mobility 2D electron systems in Si. Our data show the existence of two different temperature regimes, one of which can be fitted well using the phase slippage model commonly applied to charge density waves. |
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| Date de publication | 1994-02-02 |
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| Dans | |
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| Numéro NPARC | 12327867 |
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| Identificateur de l’enregistrement | a78acd53-ddf1-4c74-a810-a784a6254e7a |
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| Enregistrement créé | 2009-09-10 |
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| Enregistrement modifié | 2020-04-27 |
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