| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1049/el.2012.0109 |
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| Auteur | Rechercher : Gupta, J. A.1; Rechercher : Bezinger, A.1; Rechercher : Barrios, P. J.1; Rechercher : Lapointe, J.1; Rechercher : Poitras, D.1; Rechercher : Waldron, P.1 |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Technologies de l'information et des communications
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| Format | Texte, Article |
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| Résumé | A lateral etched-grating process was used to produce singlemode distributed feedback laser diodes at 3.23 μm. The devices are based on InGaAsSb/AlInGaAsSb type-I quantum well active regions grown on GaSb substrates by molecular beam epitaxy. The lasers were used in high-resolution spectroscopy of methane gas near the v3, R7 vibrational absorption transitions. |
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| Date de publication | 2012-03-29 |
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| Dans | |
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| Langue | anglais |
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| Publications évaluées par des pairs | Oui |
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| Numéro NPARC | 21268058 |
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| Exporter la notice | Exporter en format RIS |
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| Identificateur de l’enregistrement | aab00c4f-9896-44f3-bfd2-1ef8ef432c0b |
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| Enregistrement créé | 2013-04-05 |
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| Enregistrement modifié | 2020-04-21 |
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