Strain analysis of highly scalable single InAs/InP quantum dots in a stress-sensitive environment

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.4817758
AuteurRechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 2
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Technologies de l'information et des communications
  2. Conseil national de recherches du Canada. Technologies de sécurité et de rupture
FormatTexte, Article
SujetComputational studies; Emission spectrums; InAs/InP quantum dots; Pseudopotential calculation; Quantum information systems; Self assembled quantum dots; Single-photon source; Stress sensitive; Emission spectroscopy; Quantum optics; Semiconductor quantum dots
Résumé
Date de publication
Dans
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC21270367
Exporter la noticeExporter en format RIS
Signaler une correctionSignaler une correction (s'ouvre dans un nouvel onglet)
Identificateur de l’enregistrementab62bf39-7df5-48f8-b14b-cc7472589bcb
Enregistrement créé2014-02-05
Enregistrement modifié2020-04-22
Date de modification :