Téléchargement | - Voir la version de l’auteur : Temperature dependence of ultrasharp luminescence lines in AlyIn1−yAs/AlxGa1−xAs self-assembled quantum dots (PDF, 439 Kio)
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DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1139/p96-862 |
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Auteur | Rechercher : Raymond, S.1; Rechercher : Fafard, S.1; Rechercher : Charbonneau, Sylvain1 |
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Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
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Format | Texte, Article |
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Conférence | Seventh Canadian Semiconductor Technology Conference, August 14-18, 1995, Ottawa, Ontario, Canada |
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Résumé | Des ensembles d'environ 600 îlots quantiques d' AlyIn1−yAs/AlxGa1−xAs sont étudiés grâce à des mesures de photoluminescence (PL) et de photoluminescence résolues dans le temps. Lorsque l'intensité d'excitation est faible, le spectre de PL montre une série de raies très étroites (~200μeV) résultant de l'émission de quelques îlots (4 ou moins). L'influence de la température sur ces raies d'émission est étudiée, et les résultats montrent que leurs temps de vie et leurs largeur restent constants jusqu'à ce qu'on observe de l'émission thermionique. De plus, on montre qu'une haute densité d'excitation favorise l'émission de fond collective des îlots au détriment des raies individuelles. |
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Date de publication | 1996 |
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Maison d’édition | National Research Council of Canada. Research Press |
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Dans | |
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Langue | anglais |
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Publications évaluées par des pairs | Oui |
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Numéro NPARC | 12327889 |
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Identificateur de l’enregistrement | b07c61f7-f84d-44f4-9732-6edf051ed296 |
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Enregistrement créé | 2009-09-10 |
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Enregistrement modifié | 2022-11-17 |
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