| Téléchargement | - Voir le manuscrit accepté : Ultracompact polarization converter with a dual subwavelength trench built in a silicon-on-insulator waveguide (PDF, 899 Kio)
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| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1364/OL.37.000365 |
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| Auteur | Rechercher : Velasco, Aitor, V.; Rechercher : Calvo, Maria L.; Rechercher : Cheben, Pavel1Identifiant ORCID : https://orcid.org/0000-0003-4232-9130; Rechercher : Ortega-Monux, Alejandro; Rechercher : Schmid, Jens H.1; Rechercher : Ramos, Carlos Alonso; Rechercher : Fernandez, Inigo Molina; Rechercher : Lapointe, Jean1; Rechercher : Vachon, Martin1; Rechercher : Janz, Siegfried1; Rechercher : Xu, Dan-Xia1 |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
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| Format | Texte, Article |
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| Résumé | The design and fabrication of an ultracompact silicon-on-insulator polarization converter is reported. The polarization conversion with an extinction ratio of 16 dB is achieved for a conversion length of only 10 m. Polarization rotation is achieved by inducing a vertical asymmetry by forming in the waveguide core two subwavelength trenches of different depths. By taking advantage of the calibrated reactive ion etch lag, the two depths are implemented using a single mask and etching process. The measured converter loss is 0.7 dB and the 3 dB bandwidth is 26 nm. |
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| Date de publication | 2012-01-20 |
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| Dans | |
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| Langue | anglais |
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| Publications évaluées par des pairs | Oui |
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| Numéro NPARC | 19577564 |
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| Identificateur de l’enregistrement | b30baa11-b395-4bb4-8143-a1957698e924 |
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| Enregistrement créé | 2012-02-29 |
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| Enregistrement modifié | 2020-04-21 |
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