| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1016/j.sse.2006.04.017 |
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| Auteur | Rechercher : McAlister, Sean1; Rechercher : Bardwell, Jennifer1; Rechercher : Haffouz, Soufien1; Rechercher : Tang, Haipeng1 |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
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| Format | Texte, Article |
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| Conférence | 2005 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS), 7-9 December 2005, Bethesda, MD, USA |
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| Sujet | self-heating; GaN HFETs; device temperature |
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| Résumé | The self-heating has been measured and simulated for GaN field effect transistors. For a high frequency test device, which is really two devices in parallel, experiments are described where one side of the device has been heated and the other side used to monitor the self-heating and heat-flow from the side of the device where the self-heating is severe. |
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| Date de publication | 2006-06-12 |
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| Dans | |
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| Langue | anglais |
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| Publications évaluées par des pairs | Oui |
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| Numéro NPARC | 12744634 |
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| Identificateur de l’enregistrement | b6afab73-a317-415a-8120-039e77dd900e |
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| Enregistrement créé | 2009-10-27 |
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| Enregistrement modifié | 2020-04-22 |
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