| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1080/01418639408240242 |
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| Auteur | Rechercher : Chen, Wei; Rechercher : Maris, Humphrey; Rechercher : Wasilewski, Zbigniew R1; Rechercher : Tamura, Shin-Ichiro |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
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| Format | Texte, Article |
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| Résumé | We have used a novel method to measure the attenuation and velocity of 56 GHz longitudinal phonons in GaAs over the temperature range from 50 to 300 K. The sample was a molecular-beam-epitaxy-grown layer separated from the substrate by a GaAs/AlAs multilayer structure that acted as a resonant reflector for the phonons. We discuss the results in terms of theories of the phonon-phonon interaction. |
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| Date de publication | 1994-09 |
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| Dans | |
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| Langue | anglais |
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| Numéro NPARC | 12337703 |
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| Identificateur de l’enregistrement | b8bcb830-47ec-470b-ac40-b219192db6e0 |
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| Enregistrement créé | 2009-09-10 |
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| Enregistrement modifié | 2020-04-27 |
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