| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1116/1.3590932 |
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| Auteur | Rechercher : Turski, H.; Rechercher : Siekacz, M.; Rechercher : Sawicka, M.; Rechercher : Cywinski, G.; Rechercher : Krysko, M.; Rechercher : Grzanka, S.; Rechercher : Smalc-Koziorowska, J.; Rechercher : Grzegory, I.; Rechercher : Porowski, S.; Rechercher : Wasilewski, Z.R.1; Rechercher : Skierbiszewski, C. |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
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| Format | Texte, Article |
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| Sujet | Gallium flux; Growth mechanisms; Miscut angle; Nitrogen fluxes; Phenomenological models; Plasma assisted molecular beam epitaxy; Epitaxial growth; Gallium; Gallium alloys; Gallium compounds; Indium; Molecular beam epitaxy; Molecular beams |
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| Résumé | In this article, the authors discuss the mechanism of InGaN growth by plasma assisted molecular beam epitaxy. They present the evidence of the influence of substrate miscut on indium incorporation for the growths with different gallium fluxes. They propose and discuss the phenomenological model which describes the incorporation of indium into InGaN layers grown under the indium-rich conditions that takes into account following parameters: gallium and nitrogen fluxes, miscut angle, and the growth temperature. © 2011 American Vacuum Society. |
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| Date de publication | 2011 |
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| Dans | |
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| Langue | anglais |
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| Publications évaluées par des pairs | Oui |
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| Numéro NPARC | 21271124 |
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| Identificateur de l’enregistrement | b8c2fa5f-3ac7-49c7-98f4-6685009f31a6 |
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| Enregistrement créé | 2014-03-24 |
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| Enregistrement modifié | 2020-04-21 |
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