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High-Gain, Low Turn-on Voltage AlGaAs/GaAsNSb/GaAs HBTs Grown by Molecular Beam Epitaxy

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1109/LED.2007.910000
AuteurRechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : 1
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Date de publication
Dans
  • IEEE Electron Device Letters 28, nº 12 (2007) : 1083–.
Numéro NPARC12744623
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Identificateur de l’enregistrementbd02af3c-a4dd-41a4-aa5d-98311fe29ff7
Enregistrement créé2009-10-27
Enregistrement modifié2020-05-10
Date de modification :