Sélection de la langue

Gouvernement du Canada / Government of Canada

Recherche

Plasma-assisted MBE growth of GaN on GaN/sahire templates grown in situ by ammonia- MBE

Par Conseil national de recherches du Canada

AuteurRechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher : 2
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
  2. Conseil national de recherches du Canada. Institut Steacie des sciences moléculaires du CNRC
FormatTexte, Article
Conférence206th Meeting of the Electrochemical Society, 3-8 October 2004, Honolulu, Hawaii, USA
Date de publication
Dans
  • State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors XLI and Nitride and Wide Bandgap Semiconductors for Sensors, Photonics, and Electronics V 2004, nº 6 (2004) : 215–226.
NoteFifth Nitride and Wide Bandgap Semiconductors for Sensors, Photonics, and Electronics and 41st State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors Symposia
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC12346299
Exporter la noticeExporter en format RIS
Signaler une correctionSignaler une correction (s'ouvre dans un nouvel onglet)
Identificateur de l’enregistrementbff2ccf7-7e9d-4168-be30-502c8a8f8e47
Enregistrement créé2009-09-17
Enregistrement modifié2020-04-17
Date de modification :