Nitrogen distribution and oxidation of HfOxNy gate dielectrics deposited by MOCVD using [C2H52N]4Hf with NO and O2

Auteur	Rechercher : Lee, M.; Rechercher : Landheer, Dolf¹; Rechercher : Wu, X.; Rechercher : Couillard, M.; Rechercher : Lu, Z-H; Rechercher : Ng, W-T; Rechercher : Chen, J.; Rechercher : Chao, T.; Rechercher : Lei, T.
Affiliation	Conseil national de recherches Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
Format	Texte, Article
Conférence	Mat Res Soc Sym, Spring MRS Meeting, April 2004, San Francisco
Numéro NPARC	12346479
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Identificateur de l’enregistrement	c11b9dcd-64d1-4c42-b2fe-a8673f1a52d8
Enregistrement créé	2009-09-17
Enregistrement modifié	2020-04-16

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