Nitrogen distribution and oxidation of HfOxNy gate dielectrics deposited by MOCVD using [C2H52N]4Hf with NO and O2
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Affiliation |
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Format | Texte, Article |
Conférence | Mat Res Soc Sym, Spring MRS Meeting, April 2004, San Francisco |
Numéro NPARC | 12346479 |
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Identificateur de l’enregistrement | c11b9dcd-64d1-4c42-b2fe-a8673f1a52d8 |
Enregistrement créé | 2009-09-17 |
Enregistrement modifié | 2020-04-16 |
- Date de modification :